Hitachi graafmachine onderdelen EX200-2/3/5 drukschakelaarsensor 4436271

Werkend mechanisme

1) Magneto-elektrisch effect

Volgens de wet van Faraday van elektromagnetische inductie hangt de grootte van de geïnduceerde elektromotorische kracht die in de spoel wordt gegenereerd af van de veranderingssnelheid van de magnetische flux die door de spoel gaat wanneer de N-wind spoel in het magnetische veld beweegt en de magnetische krachtlijn doorsnijdt ( of de magnetische fluxverandering van het magnetische veld waar de spoel zich bevindt).

Lineair bewegende magneto-elektrische sensor

De lineair bewegende magneto-elektrische sensor bestaat uit een permanente magneet, een spoel en een sensorbehuizing.

Wanneer de schaal trilt met het te meten trillichaam en de trillingsfrequentie veel hoger is dan de eigenfrequentie van de sensor, omdat de veer zacht is en de massa van het bewegende deel relatief groot is, is het te laat voor het bewegende deel trillen (stilstaan) met het trillende lichaam.Op dit moment ligt de relatieve bewegingssnelheid tussen de magneet en de spoel dicht bij de trillingssnelheid van de vibrator.

Roterend type

Zachtijzer, spoel en permanente magneet zijn vast.Op het gemeten roterende lichaam wordt het meettandwiel van magnetisch geleidend materiaal geïnstalleerd.Elke keer dat een tand wordt geroteerd, verandert de magnetische weerstand van het magnetische circuit gevormd tussen het meettandwiel en het zachte ijzer één keer, en verandert ook de magnetische flux één keer.De frequentie (aantal pulsen) van de geïnduceerde elektromotorische kracht in de spoel is gelijk aan het product van het aantal tanden op het meettandwiel en de rotatiesnelheid.

Hall-effect

Wanneer een halfgeleider of metaalfolie in een magnetisch veld wordt geplaatst en er een stroom (in de vlakrichting van de folie loodrecht op het magnetische veld) vloeit, wordt er een elektromotorische kracht gegenereerd in de richting loodrecht op het magnetische veld en de stroom.Dit fenomeen wordt Hall-effect genoemd.

Hall-element

Veelgebruikte Hall-materialen zijn germanium (Ge), silicium (Si), indiumantimonide (InSb), indiumarsenide (InAs) enzovoort.Germanium van het N-type is eenvoudig te vervaardigen en heeft een goede Hall-coëfficiënt, temperatuurprestaties en lineariteit.P-type silicium heeft de beste lineariteit en de Hall-coëfficiënt en temperatuurprestaties zijn dezelfde als die van N-type germanium, maar de elektronenmobiliteit is laag en het laadvermogen is slecht, dus het wordt meestal niet als een enkele Hall gebruikt element.